A Polymorphic Memtransistor with Tunable Metallic and Semiconducting Channel

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 15 vom: 01. Apr., Seite e2209089
1. Verfasser: Eshete, Yonas Assefa (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Hwang, Eunji, Kim, Junhyung, Nguyen, Phuong Lien, Yu, Woo Jong, Kong, Bai Sun, Jang, Min Seok, Lee, Jaekwang, Cho, Suyeon, Yang, Heejun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article alloys in-memory computing memtransistors phase transitions polymorphism