Room-Temperature Gate-Tunable Nonreciprocal Charge Transport in Lattice-Matched InSb/CdTe Heterostructures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 3 vom: 09. Jan., Seite e2207322
1. Verfasser: Li, Lun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wu, Yuyang, Liu, Xiaoyang, Liu, Jiuming, Ruan, Hanzhi, Zhi, Zhenghang, Zhang, Yong, Huang, Puyang, Ji, Yuchen, Tang, Chenjia, Yang, Yumeng, Che, Renchao, Kou, Xufeng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article electric-field control interfacial Rashba effect narrow-bandgap semiconductor heterostructures nonreciprocal transport spin-orbit coupling