Physical Origin of Negative Differential Resistance in V3 O5 and Its Application as a Solid-State Oscillator

© 2022 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 8 vom: 02. Feb., Seite e2208477
1. Verfasser: Das, Sujan Kumar (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Nandi, Sanjoy Kumar, Marquez, Camilo Verbel, Rúa, Armando, Uenuma, Mutsunori, Puyoo, Etienne, Nath, Shimul Kanti, Albertini, David, Baboux, Nicolas, Lu, Teng, Liu, Yun, Haeger, Tobias, Heiderhoff, Ralf, Riedl, Thomas, Ratcliff, Thomas, Elliman, Robert Glen
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article V3O5 metal-insulator transition negative differential resistance neuromorphic computing threshold switching