Chemical Vapor Deposition of Quaternary 2D BiCuSeO p-Type Semiconductor with Intrinsic Degeneracy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 50 vom: 27. Dez., Seite e2207796
1. Verfasser: Li, Jie (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zhang, Yan, Zhang, Junrong, Chu, Junwei, Xie, Liu, Yu, Wenzhi, Zhao, Xinxin, Chen, Cheng, Dong, Zhuo, Huang, Luyi, Yang, Liu, Yu, Qiang, Ren, Zeqian, Wang, Junyong, Xu, Yijun, Zhang, Kai
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials BiCuSeO chemical vapor deposition intrinsic degeneracy tunnel field-effect transistors