Reservoir Computing with Charge-Trap Memory Based on a MoS2 Channel for Neuromorphic Engineering

© 2022 The Authors. Advanced Materials published by Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 37 vom: 27. Sept., Seite e2205381
1. Verfasser: Farronato, Matteo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Mannocci, Piergiulio, Melegari, Margherita, Ricci, Saverio, Compagnoni, Christian Monzio, Ielmini, Daniele
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D semiconductors charge-trap memory neural networks neuromorphic engineering reservoir computing