Layered Antiferromagnetism Induces Large Negative Magnetoresistance in the van der Waals Semiconductor CrSBr

Layered Antiferromagnetism Induces Large Negative Magnetoresistance in the van der Waals Semiconductor CrSBr

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 35 vom: 01. Sept., Seite e2205639
1. Verfasser: Telford, Evan J (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Dismukes, Avalon H, Lee, Kihong, Cheng, Minghao, Wieteska, Andrew, Bartholomew, Amymarie K, Chen, Yu-Sheng, Xu, Xiaodong, Pasupathy, Abhay N, Zhu, Xiaoyang, Dean, Cory R, Roy, Xavier
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Published Erratum
Beschreibung
Beschreibung:Date Revised 07.09.2022
published: Print
ErratumFor: Adv Mater. 2020 Sep;32(37):e2003240. - PMID 32776373
Citation Status PubMed-not-MEDLINE
ISSN:1521-4095
DOI:10.1002/adma.202205639