Harnessing the Metal-Insulator Transition of VO2 in Neuromorphic Computing

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 35(2023), 37 vom: 01. Sept., Seite e2205294
1. Verfasser: Schofield, Parker (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Bradicich, Adelaide, Gurrola, Rebeca M, Zhang, Yuwei, Brown, Timothy D, Pharr, Matt, Shamberger, Patrick J, Banerjee, Sarbajit
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Review Mott transition doping electronic structures metal-insulator transition neuromorphic computing phase transition vanadium dioxide