Room-Temperature Negative Differential Resistance and High Tunneling Current Density in GeSn Esaki Diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 41 vom: 27. Okt., Seite e2203888
1. Verfasser: Liu, Chia-You (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tien, Kai-Ying, Chiu, Po-Yuan, Wu, Yu-Jui, Chuang, Yen, Kao, Hsiang-Shun, Li, Jiun-Yun
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Esaki diodes band-to-band tunneling (BTBT) chemical vapor deposition direct bandgap germanium-tin (GeSn) strain