Interface-Modulated Resistive Switching in Mo-Irradiated ReS2 for Neuromorphic Computing

Interface-Modulated Resistive Switching in Mo-Irradiated ReS2 for Neuromorphic Computing

© 2022 Wiley-VCH GmbH.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 30 vom: 21. Juli, Seite e2202722
1. Verfasser: Pam, Mei Er (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Li, Sifan, Su, Tong, Chien, Yu-Chieh, Li, Yesheng, Ang, Yee Sin, Ang, Kah-Wee
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article artificial synapses bilayer resistive materials doping memristor rhenium disulfide
Online verfügbar Volltext