The Trend of 2D Transistors toward Integrated Circuits : Scaling Down and New Mechanisms

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 48 vom: 10. Dez., Seite e2201916
1. Verfasser: Shen, Yang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Dong, Zuoyuan, Sun, Yabin, Guo, Hao, Wu, Fan, Li, Xianglong, Tang, Jun, Liu, Jun, Wu, Xing, Tian, He, Ren, Tian-Ling
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Review device engineering new mechanisms physical models scaling down two-dimensional semiconductors very large-scale integration