Nano-Memristors with 4 mV Switching Voltage Based on Surface-Modified Copper Nanoparticles

Nano-Memristors with 4 mV Switching Voltage Based on Surface-Modified Copper Nanoparticles

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 20 vom: 23. Mai, Seite e2201197
1. Verfasser: Liu, Peisong (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Hui, Fei, Aguirre, Fernando, Saiz, Fernan, Tian, Lulu, Han, Tingting, Zhang, Zhijun, Miranda, Enrique, Lanza, Mario
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article copper nanoparticles density functional theory memristors resistive switching spiking neural networks Metals Copper 789U1901C5
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