A Robust Memristor Based on Epitaxial Vertically Aligned Nanostructured BaTiO3 -CeO2 Films on Silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 23 vom: 30. Juni, Seite e2110343
1. Verfasser: Yan, Xiaobing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: He, Haidong, Liu, Gongjie, Zhao, Zhen, Pei, Yifei, Liu, Pan, Zhao, Jianhui, Zhou, Zhenyu, Wang, Kaiyang, Yan, Hongwei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article algebraic operations ferroelectric memristors neuromorphic computing robust endurance vertically aligned nanostructures BaTiO3−CeO2 epitaxial structure