Reducing Contact Resistance and Boosting Device Performance of Monolayer MoS2 by In Situ Fe Doping

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 18 vom: 16. Mai, Seite e2200885
1. Verfasser: Li, Hui (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Cheng, Mo, Wang, Peng, Du, Ruofan, Song, Luying, He, Jun, Shi, Jianping
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article centimeter-sized films monolayer Fe-MoS2 ultralow contact resistance unidirectional domains zero energy barrier