Reconfigurable Quasi-Nonvolatile Memory/Subthermionic FET Functions in Ferroelectric-2D Semiconductor vdW Architectures

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 15 vom: 30. Apr., Seite e2200032
1. Verfasser: Wang, Zhongwang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, Xiaochi, Zhou, Xuefan, Yuan, Yahua, Zhou, Kechao, Zhang, Dou, Luo, Hang, Sun, Jian
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article NCFET ferroelectric FETs neuromorphic networks nonvolatile memory reconfigurable device functions