2D Materials-Based Static Random-Access Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 48 vom: 07. Dez., Seite e2107894
1. Verfasser: Liu, Chang-Ju (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wan, Yi, Li, Lain-Jong, Lin, Chih-Pin, Hou, Tuo-Hung, Huang, Zi-Yuan, Hu, Vita Pi-Ho
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials complementary metal-oxide-semiconductors field-effect transistors high performance static random-access memory