Energy-Band Engineering by Remote Doping of Self-Assembled Monolayers Leads to High-Performance IGZO/p-Si Heterostructure Photodetectors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 6 vom: 03. Feb., Seite e2107364
1. Verfasser: Woo, Gunhoo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lee, Dong Hyun, Heo, Yeri, Kim, Eungchul, On, Sungmin, Kim, Taesung, Yoo, Hocheon
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article electrical doping heterostructures negative differential resistance photodetectors photodiodes