High-Yield Ti3 C2 Tx MXene-MoS2 Integrated Circuits

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 34(2022), 48 vom: 20. Dez., Seite e2107370
1. Verfasser: Xu, Xiangming (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Guo, Tianchao, Hota, Mrinal K, Kim, Hyunho, Zheng, Dongxing, Liu, Chen, Hedhili, Mohamed Nejib, Alsaadi, Rajeh S, Zhang, Xixiang, Alshareef, Husam N
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2022
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoS2 Ti3C2Tx MXene solution processing sub-10 nm circuits transistor arrays ultrathin nanoelectronics