Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 43 vom: 30. Okt., Seite e2104564
1. Verfasser: Liang, Jianbo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Kobayashi, Ayaka, Shimizu, Yasuo, Ohno, Yutaka, Kim, Seong-Woo, Koyama, Koji, Kasu, Makoto, Nagai, Yasuyoshi, Shigekawa, Naoteru
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article GaN/diamond heterointerfaces intensity gradients residual stress sp2 ratio surface-activated bonding