Variability and Yield in h-BN-Based Memristive Circuits : The Role of Each Type of Defect

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 41 vom: 30. Okt., Seite e2103656
1. Verfasser: Shen, Yaqing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zheng, Wenwen, Zhu, Kaichen, Xiao, Yiping, Wen, Chao, Liu, Yingwen, Jing, Xu, Lanza, Mario
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials local defect memristors wrinkles of 2D layered materials