2D NbOI2 : A Chiral Semiconductor with Highly In-Plane Anisotropic Electrical and Optical Properties

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 29 vom: 15. Juli, Seite e2101505
Auteur principal: Fang, Yuqiang (Auteur)
Autres auteurs: Wang, Fakun, Wang, Ruiqi, Zhai, Tianyou, Huang, Fuqiang
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2021
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article NbOI2 chiral 2D materials in-plane anisotropy