2D NbOI2 : A Chiral Semiconductor with Highly In-Plane Anisotropic Electrical and Optical Properties

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 29 vom: 15. Juli, Seite e2101505
1. Verfasser: Fang, Yuqiang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Fakun, Wang, Ruiqi, Zhai, Tianyou, Huang, Fuqiang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2021
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article NbOI2 chiral 2D materials in-plane anisotropy