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Bibliographische Detailangaben
| Veröffentlicht in: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 33(2021), 3 vom: 04. Jan., Seite e2005732
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| 1. Verfasser: |
Wurdack, Matthias
(VerfasserIn) |
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| Weitere Verfasser: |
Yun, Tinghe,
Estrecho, Eliezer,
Syed, Nitu,
Bhattacharyya, Semonti,
Pieczarka, Maciej,
Zavabeti, Ali,
Chen, Shao-Yu,
Haas, Benedikt,
Müller, Johannes,
Lockrey, Mark N,
Bao, Qiaoliang,
Schneider, Christian,
Lu, Yuerui,
Fuhrer, Michael S,
Truscott, Andrew G,
Daeneke, Torben,
Ostrovskaya, Elena A |
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| Format: | Online-Aufsatz
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| Sprache: | English |
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| Veröffentlicht: |
2021
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| Zugriff auf das übergeordnete Werk: | Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
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| Schlagworte: | Journal Article
2D materials
atomically thin semiconductors
device integration
exciton enhancement
passivation
transition metal dichalcogenides |
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