Record-Low Subthreshold-Swing Negative-Capacitance 2D Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 46 vom: 15. Nov., Seite e2005353
1. Verfasser: Wang, Yang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Bai, Xiaoyuan, Chu, Junwei, Wang, Hongbo, Rao, Gaofeng, Pan, Xinqiang, Du, Xinchuan, Hu, Kai, Wang, Xuepeng, Gong, Chuanhui, Yin, Chujun, Yang, Chao, Yan, Chaoyi, Wu, Chunyang, Shuai, Yao, Wang, Xianfu, Liao, Min, Xiong, Jie
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article capacitance matching hysteresis negative-capacitance field-effect transistors power consumption subthreshold swing