Filament-Free Bulk Resistive Memory Enables Deterministic Analogue Switching

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 45 vom: 04. Nov., Seite e2003984
1. Verfasser: Li, Yiyang (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Fuller, Elliot J, Sugar, Joshua D, Yoo, Sangmin, Ashby, David S, Bennett, Christopher H, Horton, Robert D, Bartsch, Michael S, Marinella, Matthew J, Lu, Wei D, Talin, A Alec
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article RRAM analogue switching neuromorphic computing point defects resistive switching