Filament-Free Bulk Resistive Memory Enables Deterministic Analogue Switching

© 2020 Wiley-VCH GmbH.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 45 vom: 04. Nov., Seite e2003984
Auteur principal: Li, Yiyang (Auteur)
Autres auteurs: Fuller, Elliot J, Sugar, Joshua D, Yoo, Sangmin, Ashby, David S, Bennett, Christopher H, Horton, Robert D, Bartsch, Michael S, Marinella, Matthew J, Lu, Wei D, Talin, A Alec
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2020
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article RRAM analogue switching neuromorphic computing point defects resistive switching