Configurable Resistive Response in BaTiO3 Ferroelectric Memristors via Electron Beam Radiation

© 2020 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 12 vom: 08. März, Seite e1907541
1. Verfasser: Molinari, Alan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Witte, Ralf, Neelisetty, Krishna Kanth, Gorji, Saleh, Kübel, Christian, Münch, Ingo, Wöhler, Franziska, Hahn, Lothar, Hengsbach, Stefan, Bade, Klaus, Hahn, Horst, Kruk, Robert
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article BaTiO3 electron beam radiation ferroelectric memristors neuromorphic computing thin film engineering