Lateral 2D WSe2 p-n Homojunction Formed by Efficient Charge-Carrier-Type Modulation for High-Performance Optoelectronics

© 2020 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 9 vom: 18. März, Seite e1906499
1. Verfasser: Sun, Jiacheng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wang, Yuyan, Guo, Shaoqiang, Wan, Bensong, Dong, Lianqing, Gu, Youdi, Song, Cheng, Pan, Caofeng, Zhang, Qinghua, Gu, Lin, Pan, Feng, Zhang, Junying
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article cetyltrimethyl ammonium bromides (CTAB) chemical doping lateral p-n homojunction optoelectronics transition metal dichalcogenides (TMDs)