Magneto-Memristive Switching in a 2D Layer Antiferromagnet

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 32(2020), 2 vom: 20. Jan., Seite e1905433
1. Verfasser: Kim, Hyun Ho (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Jiang, Shengwei, Yang, Bowen, Zhong, Shazhou, Tian, Shangjie, Li, Chenghe, Lei, Hechang, Shan, Jie, Mak, Kin Fai, Tsen, Adam W
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2020
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D magnetism chromium triiodide memristive switching van der Waals heterostructures