Gate-Tunable and Multidirection-Switchable Memristive Phenomena in a Van Der Waals Ferroelectric

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 29 vom: 17. Juli, Seite e1901300
1. Verfasser: Xue, Fei (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: He, Xin, Retamal, José Ramón Durán, Han, Ali, Zhang, Junwei, Liu, Zhixiong, Huang, Jing-Kai, Hu, Weijin, Tung, Vincent, He, Jr-Hau, Li, Lain-Jong, Zhang, Xixiang
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ferroelectrics gate tunability memristors multidirectional programming