Addition of the Lewis Acid Zn(C6 F5 )2 Enables Organic Transistors with a Maximum Hole Mobility in Excess of 20 cm2 V-1 s-1

Addition of the Lewis Acid Zn(C6 F5 )2 Enables Organic Transistors with a Maximum Hole Mobility in Excess of 20 cm2 V-1 s-1

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 27 vom: 10. Juli, Seite e1900871
1. Verfasser: Paterson, Alexandra F (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Tsetseris, Leonidas, Li, Ruipeng, Basu, Aniruddha, Faber, Hendrik, Emwas, Abdul-Hamid, Panidi, Julianna, Fei, Zhuping, Niazi, Muhammad R, Anjum, Dalaver H, Heeney, Martin, Anthopoulos, Thomas D
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Lewis acid carrier mobility molecular doping organic semiconductors organic thin-film transistors
Online verfügbar Volltext