High-Performance Solution-Processed Organo-Metal Halide Perovskite Unipolar Resistive Memory Devices in a Cross-Bar Array Structure

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 21 vom: 07. Mai, Seite e1804841
1. Verfasser: Kang, Keehoon (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Ahn, Heebeom, Song, Younggul, Lee, Woocheol, Kim, Junwoo, Kim, Youngrok, Yoo, Daekyoung, Lee, Takhee
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article cross-bar array architecture nonvolatile memory organo-metal halide perovskite perovskite memory devices resistive switching