Thinnest Nonvolatile Memory Based on Monolayer h-BN

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 15 vom: 15. Apr., Seite e1806790
Auteur principal: Wu, Xiaohan (Auteur)
Autres auteurs: Ge, Ruijing, Chen, Po-An, Chou, Harry, Zhang, Zhepeng, Zhang, Yanfeng, Banerjee, Sanjay, Chiang, Meng-Hsueh, Lee, Jack C, Akinwande, Deji
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2019
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D materials atomristor hexagonal boron nitride memristor nonvolatile resistance switching