Emergence of Topological Hall Effect in a SrRuO3 Single Layer

© 2019 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 8 vom: 15. Feb., Seite e1807008
1. Verfasser: Qin, Qing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, Liang, Lin, Weinan, Shu, Xinyu, Xie, Qidong, Lim, Zhishiuh, Li, Changjian, He, Shikun, Chow, Gan Moog, Chen, Jingsheng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article ionic liquid gating oxide spintronics oxygen octahedron rotation topological Hall effect