Polymer Doping Enables a Two-Dimensional Electron Gas for High-Performance Homojunction Oxide Thin-Film Transistors

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 4 vom: 15. Jan., Seite e1805082
Auteur principal: Chen, Yao (Auteur)
Autres auteurs: Huang, Wei, Sangwan, Vinod K, Wang, Binghao, Zeng, Li, Wang, Gang, Huang, Yan, Lu, Zhiyun, Bedzyk, Michael J, Hersam, Mark C, Marks, Tobin J, Facchetti, Antonio
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2019
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article 2D electron gases PEI-doped In2O3 homojunctions oxide electronics