Lowering the Schottky Barrier Height by Graphene/Ag Electrodes for High-Mobility MoS2 Field-Effect Transistors

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 31(2019), 2 vom: 24. Jan., Seite e1804422
1. Verfasser: Chee, Sang-Soo (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Seo, Dongpyo, Kim, Hanggyu, Jang, Hanbyeol, Lee, Seungmin, Moon, Seung Pil, Lee, Kyu Hyoung, Kim, Sung Wng, Choi, Hyunyong, Ham, Moon-Ho
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2019
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Ag field-effect transistors graphene molybdenum disulfide transition metal dichalcogenides