Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 52 vom: 01. Dez., Seite e1804470
1. Verfasser: Liu, Tao (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Xiang, Du, Zheng, Yue, Wang, Yanan, Wang, Xinyun, Wang, Li, He, Jun, Liu, Lei, Chen, Wei
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoTe2/BN heterostructures homogeneous p-n junctions and inverters nonvolatile and programmable photodoping in MoTe2 devices photoresist-free