Mapping Electron Transfer at MoS2 Using Scanning Electrochemical Microscopy

Understanding the role of macroscopic and atomic defects in the interfacial electron transfer properties of layered transition metal dichalcogenides is important in optimizing their performance in energy conversion and electronic devices. Means of determining the heterogeneous electron transfer rate...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 1999. - 34(2018), 46 vom: 20. Nov., Seite 13864-13870
1. Verfasser:	Ritzert, Nicole L (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Szalai, Veronika A, Moffat, Thomas P
Format:	Online-Aufsatz
Sprache:	English
Veröffentlicht:	2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:	Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
Schlagworte:	Journal Article Research Support, U.S. Gov't, Non-P.H.S. Research Support, Non-U.S. Gov't