Electromagnetic Functionalization of Wide-Bandgap Dielectric Oxides by Boron Interstitial Doping

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 39 vom: 02. Sept., Seite e1802025
1. Verfasser: Park, Dae-Sung (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Rees, Gregory J, Wang, Haiyuan, Rata, Diana, Morris, Andrew J, Maznichenko, Igor V, Ostanin, Sergey, Bhatnagar, Akash, Choi, Chel-Jong, Jónsson, Ragnar D B, Kaufmann, Kai, Kashtiban, Reza, Walker, Marc, Chiang, Cheng-Tien, Thorsteinsson, Einar B, Luo, Zhengdong, Park, In-Sung, Hanna, John V, Mertig, Ingrid, Dörr, Kathrin, Gíslason, Hafliði P, McConville, Chris F
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article Stoner ferromagnetism first-principle calculations light element interstitial doping oxide composites resistive switching