High-Mobility p-Type and n-Type Copper Nitride Semiconductors by Direct Nitriding Synthesis and In Silico Doping Design

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 31 vom: 19. Aug., Seite e1801968
1. Verfasser: Matsuzaki, Kosuke (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Harada, Kou, Kumagai, Yu, Koshiya, Shogo, Kimoto, Koji, Ueda, Shigenori, Sasase, Masato, Maeda, Akihiro, Susaki, Tomofumi, Kitano, Masaaki, Oba, Fumiyasu, Hosono, Hideo
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article bipolar doping direct nitriding doping design