Realization of In-Plane p-n Junctions with Continuous Lattice of a Homogeneous Material

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 30 vom: 11. Juli, Seite e1802065
1. Verfasser: Huang, Xiaochun (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, Bing, Guan, Jiaqi, Miao, Guangyao, Lin, Zijian, An, Qichang, Zhu, Xuetao, Wang, Weihua, Guo, Jiandong
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article graphene/6H-SiC(0001) in-plane p-n junctions interface modulation monolayer tellurium scanning tunneling microscopy