Few-Layer GeAs Field-Effect Transistors and Infrared Photodetectors

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 21 vom: 02. Mai, Seite e1705934
1. Verfasser: Guo, Jian (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Liu, Yuan, Ma, Yue, Zhu, Enbo, Lee, Shannon, Lu, Zixuan, Zhao, Zipeng, Xu, Changhao, Lee, Sung-Joon, Wu, Hao, Kovnir, Kirill, Huang, Yu, Duan, Xiangfeng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D semiconductors GeAs few-layer field-effect transistors infrared photodetectors