An Alkylated Indacenodithieno[3,2-b]thiophene-Based Nonfullerene Acceptor with High Crystallinity Exhibiting Single Junction Solar Cell Efficiencies Greater than 13% with Low Voltage Losses

An Alkylated Indacenodithieno[3,2-b]thiophene-Based Nonfullerene Acceptor with High Crystallinity Exhibiting Single Junction Solar Cell Efficiencies Greater than 13% with Low Voltage Losses

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 13 vom: 07. März, Seite e1800728
1. Verfasser: Fei, Zhuping (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Eisner, Flurin D, Jiao, Xuechen, Azzouzi, Mohammed, Röhr, Jason A, Han, Yang, Shahid, Munazza, Chesman, Anthony S R, Easton, Christopher D, McNeill, Christopher R, Anthopoulos, Thomas D, Nelson, Jenny, Heeney, Martin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Published Erratum
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM282501177
003 DE-627
005 20231225034049.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231225s2018 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201800728  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0941.xml 
035 |a (DE-627)NLM282501177 
035 |a (NLM)29600581 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Fei, Zhuping  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 3 |a An Alkylated Indacenodithieno[3,2-b]thiophene-Based Nonfullerene Acceptor with High Crystallinity Exhibiting Single Junction Solar Cell Efficiencies Greater than 13% with Low Voltage Losses 
264 1 |c 2018 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print 
500 |a ErratumFor: Adv Mater. 2018 Feb;30(8):. - PMID 29315933 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
650 4 |a Published Erratum 
700 1 |a Eisner, Flurin D  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Jiao, Xuechen  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Azzouzi, Mohammed  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Röhr, Jason A  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Han, Yang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Shahid, Munazza  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Chesman, Anthony S R  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Easton, Christopher D  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a McNeill, Christopher R  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Anthopoulos, Thomas D  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Nelson, Jenny  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Heeney, Martin  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 30(2018), 13 vom: 07. März, Seite e1800728  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:30  |g year:2018  |g number:13  |g day:07  |g month:03  |g pages:e1800728 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201800728  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 30  |j 2018  |e 13  |b 07  |c 03  |h e1800728