Realizing zT of 2.3 in Ge1-x-y Sbx Iny Te via Reducing the Phase-Transition Temperature and Introducing Resonant Energy Doping

Realizing zT of 2.3 in Ge1-x-y Sbx Iny Te via Reducing the Phase-Transition Temperature and Introducing Resonant Energy Doping

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 11 vom: 09. März
1. Verfasser: Hong, Min (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Chen, Zhi-Gang, Yang, Lei, Zou, Yi-Chao, Dargusch, Matthew S, Wang, Hao, Zou, Jin
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article GeTe alloys density-functional-theory calculations phase transition phonon dynamics thermoelectrics
Online verfügbar Volltext