Tunneling Diode Based on WSe2 /SnS2 Heterostructure Incorporating High Detectivity and Responsivity

© 2018 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 7 vom: 09. Feb.
1. Verfasser: Zhou, Xing (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Hu, Xiaozong, Zhou, Shasha, Song, Hongyue, Zhang, Qi, Pi, Lejing, Li, Liang, Li, Huiqiao, Lü, Jingtao, Zhai, Tianyou
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2018
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article WSe2/SnS2 optoelectronics tunneling diodes vdW heterostructures