Epitaxial Single-Layer MoS2 on GaN with Enhanced Valley Helicity

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 5 vom: 12. Feb.
Auteur principal: Wan, Yi (Auteur)
Autres auteurs: Xiao, Jun, Li, Jingzhen, Fang, Xin, Zhang, Kun, Fu, Lei, Li, Pan, Song, Zhigang, Zhang, Hui, Wang, Yilun, Zhao, Mervin, Lu, Jing, Tang, Ning, Ran, Guangzhao, Zhang, Xiang, Ye, Yu, Dai, Lun
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2018
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article electron-phonon coupling gallium nitride single-layer molybdenum disulfide substrate engineering valley helicity