Improving Defect-Based Quantum Emitters in Silicon Carbide via Inorganic Passivation

Improving Defect-Based Quantum Emitters in Silicon Carbide via Inorganic Passivation

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 30(2018), 4 vom: 02. Jan.
Auteur principal: Polking, Mark J (Auteur)
Autres auteurs: Dibos, Alan M, de Leon, Nathalie P, Park, Hongkun
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2018
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article color centers epitaxial films photoluminescence quantum emitters silicon carbide
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