Atomically Thin Femtojoule Memristive Device

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 47 vom: 01. Dez.
1. Verfasser: Zhao, Huan (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Dong, Zhipeng, Tian, He, DiMarzi, Don, Han, Myung-Geun, Zhang, Lihua, Yan, Xiaodong, Liu, Fanxin, Shen, Lang, Han, Shu-Jen, Cronin, Steve, Wu, Wei, Tice, Jesse, Guo, Jing, Wang, Han
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials femtojoules hexagonal boron nitride (h-BN) memory memristors ultra-low power