Anomalous Resistance Hysteresis in Oxide ReRAM : Oxygen Evolution and Reincorporation Revealed by In Situ TEM

© 2017 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 23 vom: 01. Juni
1. Verfasser: Cooper, David (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Baeumer, Christoph, Bernier, Nicolas, Marchewka, Astrid, La Torre, Camilla, Dunin-Borkowski, Rafal E, Menzel, Stephan, Waser, Rainer, Dittmann, Regina
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article SrTiO3 anomalous switching in situ TEM memristive devices oxygen exchange resistive switching