Synthesis of Highly Anisotropic Semiconducting GaTe Nanomaterials and Emerging Properties Enabled by Epitaxy

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Détails bibliographiques
Publié dans:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 8 vom: 01. Feb.
Auteur principal: Cai, Hui (Auteur)
Autres auteurs: Chen, Bin, Wang, Gang, Soignard, Emmanuel, Khosravi, Afsaneh, Manca, Marco, Marie, Xavier, Chang, Shery L Y, Urbaszek, Bernhard, Tongay, Sefaattin
Format: Article en ligne
Langue:English
Publié: 2017
Accès à la collection:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Sujets:Journal Article gallium telluride physical vapor transport pseudo-1D materials