SWCNT-MoS2 -SWCNT Vertical Point Heterostructures

SWCNT-MoS2 -SWCNT Vertical Point Heterostructures

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 7 vom: 03. Feb.
1. Verfasser: Zhang, Jin (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Wei, Yang, Yao, Fengrui, Li, Dongqi, Ma, He, Lei, Peng, Fang, Hehai, Xiao, Xiaoyang, Lu, Zhixing, Yang, Juehan, Li, Jingbo, Jiao, Liying, Hu, Weida, Liu, Kaihui, Liu, Kai, Liu, Peng, Li, Qunqing, Lu, Wei, Fan, Shoushan, Jiang, Kaili
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article MoS2 carbon nanotubes heterostructures light detectors transistors
LEADER 01000naa a22002652 4500
001 NLM266863329
003 DE-627
005 20231224215439.0
007 cr uuu---uuuuu
008 231224s2017 xx |||||o 00| ||eng c
024 7 |a 10.1002/adma.201604469  |2 doi 
028 5 2 |a pubmed24n0889.xml 
035 |a (DE-627)NLM266863329 
035 |a (NLM)27922729 
040 |a DE-627  |b ger  |c DE-627  |e rakwb 
041 |a eng 
100 1 |a Zhang, Jin  |e verfasserin  |4 aut 
245 1 0 |a SWCNT-MoS2 -SWCNT Vertical Point Heterostructures 
264 1 |c 2017 
336 |a Text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a ƒaComputermedien  |b c  |2 rdamedia 
338 |a ƒa Online-Ressource  |b cr  |2 rdacarrier 
500 |a Date Completed 18.07.2018 
500 |a Date Revised 30.09.2020 
500 |a published: Print-Electronic 
500 |a Citation Status PubMed-not-MEDLINE 
520 |a © 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. 
520 |a A vertical point heterostructure (VPH) is constructed by sandwiching a two-dimensional (2D) MoS2 flake with two cross-stacked metallic single-walled carbon nanotubes. It can be used as a field-effect transistor with high on/off ratio and a light detector with high spatial resolution. Moreover, the hybrid 1D-2D-1D VPHs open up new possibilities for nanoelectronics and nano-optoelectronics 
650 4 |a Journal Article 
650 4 |a MoS2 
650 4 |a carbon nanotubes 
650 4 |a heterostructures 
650 4 |a light detectors 
650 4 |a transistors 
700 1 |a Wei, Yang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yao, Fengrui  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Dongqi  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Ma, He  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lei, Peng  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Fang, Hehai  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Xiao, Xiaoyang  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lu, Zhixing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Yang, Juehan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Jingbo  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Jiao, Liying  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Hu, Weida  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Liu, Kaihui  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Liu, Kai  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Liu, Peng  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Li, Qunqing  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Lu, Wei  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Fan, Shoushan  |e verfasserin  |4 aut 
700 1 |a Jiang, Kaili  |e verfasserin  |4 aut 
773 0 8 |i Enthalten in  |t Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)  |d 1998  |g 29(2017), 7 vom: 03. Feb.  |w (DE-627)NLM098206397  |x 1521-4095  |7 nnns 
773 1 8 |g volume:29  |g year:2017  |g number:7  |g day:03  |g month:02 
856 4 0 |u http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604469  |3 Volltext 
912 |a GBV_USEFLAG_A 
912 |a SYSFLAG_A 
912 |a GBV_NLM 
912 |a GBV_ILN_350 
951 |a AR 
952 |d 29  |j 2017  |e 7  |b 03  |c 02