Metal-Semiconductor Phase-Transition in WSe2(1-x) Te2x Monolayer

© 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). - 1998. - 29(2017), 4 vom: 23. Jan.
1. Verfasser: Yu, Peng (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Lin, Junhao, Sun, Linfeng, Le, Quang Luan, Yu, Xuechao, Gao, Guanhui, Hsu, Chuang-Han, Wu, Di, Chang, Tay-Rong, Zeng, Qingsheng, Liu, Fucai, Wang, Qi Jie, Jeng, Horng-Tay, Lin, Hsin, Trampert, Achim, Shen, Zexiang, Suenaga, Kazu, Liu, Zheng
Format: Online-Aufsatz
Sprache:English
Veröffentlicht: 2017
Zugriff auf das übergeordnete Werk:Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
Schlagworte:Journal Article 2D materials band gap field-effect transistor metal semiconductors